含硅聚合物组合物的制造方法
公开
摘要
本发明的目的是提供一种通过用具有特定结构的离子交换树脂来处理含金属杂质的被处理含硅聚合物组合物，可以在抑制处理前后的重均分子量变化(ΔMw)的同时，还能够降低金属杂质的含硅聚合物组合物的精制方法、及含硅聚合物组合物、半导体装置的制造方法。本发明是一种处理前后的重均分子量变化(ΔMw)被降低的含硅聚合物组合物的精制方法，其特征在于，用凝胶型阳离子交换树脂处理含有有机溶剂的被处理含硅聚合物组合物。处理前后的重均分子量变化(ΔMw)为70以下。上述离子交换树脂优选具有强酸性的官能团。上述离子交换处理后24种金属元素的合计残留量为1ppb以下。
基本信息
专利标题 ：
含硅聚合物组合物的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114341232A
申请号 ：
CN202080062139.2
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
大矢拓未
申请人 ：
日产化学株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
田欣
优先权 ：
CN202080062139.2
主分类号 ：
C08G77/34
IPC分类号 ：
C08G77/34 B01J39/05 G03F7/11
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C08
有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物
C08G
用碳-碳不饱和键以外的反应得到的高分子化合物
C08G77/00
在高分子主链中形成含硅键合，有或没有硫、氮、氧，或碳键合反应得到的高分子化合物
C08G77/04
聚硅氧烷
C08G77/32
聚合后处理
C08G77/34
精制
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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