ALD镀膜反应腔
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摘要
一种ALD镀膜反应腔，其包括内腔体及外腔体，所述内腔体容纳于所述外腔体中，所述内腔体连接一个第一抽真空口，所述外腔体连接一个第二抽真空口，所述第一抽真空口和所述第二抽真空口分别独立设置，并且延伸至所述外腔体的外侧，第一抽真空口和第二抽真空口分别独立控制内腔体、外腔体的压力，可以精确控制内腔体与外腔体的压差值，有利于控制反应过程。
基本信息
专利标题 ：
ALD镀膜反应腔
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021426558.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-19
授权号 ：
CN213113503U
授权日 ：
2021-05-04
发明人 ：
王新征周芸福龚炳建
申请人 ：
江苏微导纳米科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新硕路9-6-2
代理机构 ：
苏州佳博知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
罗宏伟
优先权 ：
CN202021426558.3
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2021-05-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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