一种用于镀膜反应的硅片载具
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摘要
本实用新型提供一种用于镀膜反应的硅片载具，包括框架，所述框架内设有镂空部位，所述框架内设有隔离支架，所述隔离支架将框架内的镂空部位隔离成至少两个镂空区域。本实用新型设计了镂空载具，用于装载硅片，使得硅片的上下两个表面均可以露出进行镀膜生产，或者分别镀膜，成倍提升了镀膜效率。本实用新型的硅片载具可以用于水平插片和水平镀膜，能够有效避免绕镀问题。
基本信息
专利标题 ：
一种用于镀膜反应的硅片载具
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020158247.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-10
授权号 ：
CN212293740U
授权日 ：
2021-01-05
发明人 ：
庞爱锁林佳继刘群林依婷
申请人 ：
拉普拉斯（无锡）半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市锡山区锡北镇锡港路张泾东段209号
代理机构 ：
杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
董世博
优先权 ：
CN202020158247.7
主分类号 ：
C23C16/458
IPC分类号 ：
C23C16/458 C23C16/50 H01L31/18
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2021-01-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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