一种硅片镀膜专用治具
授权
摘要
本实用新型涉及一种硅片镀膜专用治具，包括底板，所述底板上挖设有圆形通孔，所述圆形通孔内壁上固定连接有定位环，所述定位环内壁上设有衔接槽，所述底板顶侧对称设有连接孔，且所述底板顶侧等距设有螺纹孔，所述底板通过螺纹孔螺纹连接有螺丝，所述螺丝外侧套接有圆环，所述圆环右侧固定连接有曲型片，所述曲型片右端固定连接有定位块，所述定位环顶侧贴合有钢网板，硅片的外壁正好与衔接槽的内腔进行卡合，能够有效的对硅片进行定位固定，钢网板与硅片紧密贴合，防止镀膜过程中溢镀情况的发生，防止钢网板在嵌合的过程中发生脱落或者晃动的情况发生，大大提高了镀膜过程中的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种硅片镀膜专用治具
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020913976.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-27
授权号 ：
CN212335293U
授权日 ：
2021-01-12
发明人 ：
龚裕
申请人 ：
苏州京浜光电科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市常熟经济开发区高新技术园柳州路7号
代理机构 ：
苏州圆融专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郭珊珊
优先权 ：
CN202020913976.9
主分类号 ：
C23C16/458
IPC分类号 ：
C23C16/458
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2021-01-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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