一种用于硅片刻蚀的载具
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于硅片刻蚀的载具，包括：上盖、托底、第一侧体、第二侧体、第三侧体和第四侧体；上盖设置在托底的上方，托底上设置有通孔；第一侧体、第二侧体、第三侧体和第四侧体设置在上盖和托底之间，第一侧体和第三侧体相对设置，第二侧体和第四侧体相对设置；第一侧体和第三侧体设置为镂空结构，第二侧体和第四侧体的相向面设置有插槽，第二侧体上插槽的位置与第四侧体上插槽的位置相适配，硅片插入插槽内水平放置。通过上述方式，本实用新型能够在刻蚀过程中水平放置硅片，提高硅片表面的光滑度和平整性，减少硅片槽内的异物残留，有效保证刻蚀效果，避免二次刻蚀，提高刻蚀效率。
基本信息
专利标题 ：
一种用于硅片刻蚀的载具
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020475111.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-03
授权号 ：
CN211654786U
授权日 ：
2020-10-09
发明人 ：
苏奎王秀云王正兴秦明海
申请人 ：
苏州东辉光学有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区唯亭葑亭大道439号
代理机构 ：
广州市红荔专利代理有限公司
代理人 ：
关家强
优先权 ：
CN202020475111.9
主分类号 ：
H01L21/673
IPC分类号 ：
H01L21/673 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/673
使用专用的载体的
法律状态
2020-10-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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