硅片载板、载板电极装置和镀膜设备
授权
摘要
本实用新型提供了一种硅片载板、载板电极装置和镀膜设备。其中，硅片载板包括：载板框架；多个第一电极组件，设于载板框架的内侧，且沿载板框架的周向方向间隔设置；托盘，设于多个第一电极组件的顶部，托盘用于放置硅片；其中，每个第一电极组件延伸至载板框架的底部，用于接触镀膜工艺腔体，置于托盘上的硅片能够通过托盘和第一电极组件与镀膜工艺腔体导通。本实用新型的技术方案，通过硅片载板与镀膜工艺腔体之间的配合，使硅片能够均匀地接地，可有效增强连接高频的电极板与硅片载板之间的电场的均匀性，可在镀膜过程中使工艺气体能够均匀地附着于硅片表面，有利于改善镀膜效果，提高硅片产品的质量。
基本信息
专利标题 ：
硅片载板、载板电极装置和镀膜设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022462096.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-29
授权号 ：
CN213570725U
授权日 ：
2021-06-29
发明人 ：
左国军梁建军朱海剑
申请人 ：
常州捷佳创精密机械有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市新北区机电工业园宝塔山路9号
代理机构 ：
北京友联知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
尚志峰
优先权 ：
CN202022462096.7
主分类号 ：
C23C16/458
IPC分类号 ：
C23C16/458 C23C16/50
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2021-06-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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