干式蚀刻方法
实质审查的生效
摘要
本发明的干式蚀刻方法的特征在于：其是对形成在基板上的硅氧化物层与硅氮化物层的积层膜，隔着形成在所述积层膜上的掩模，进行使干式蚀刻剂等离子体化并施加500V以上的偏压电压的蚀刻，从而对该层形成垂直方向的贯通孔的方法，并且所述干式蚀刻剂至少包含C3H2F4、CxFy所表示的不饱和全氟碳及氧化性气体，且所述干式蚀刻剂中所含的所述不饱和全氟碳的体积为所述干式蚀刻剂中所含的所述C3H2F4的体积的0.1～10倍的范围。通过该干式蚀刻方法，可以将SiOx的蚀刻速度相对于SiN的蚀刻速度的比(SiN/SiOx比)任意地控制在0.90～1.5之间，并且也可以对掩模实现高蚀刻选择性。
基本信息
专利标题 ：
干式蚀刻方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512399A
申请号 ：
CN202210020327.X
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2016-07-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
大森启之八尾章史
申请人 ：
中央硝子株式会社
申请人地址 ：
日本山口
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
刘锋
优先权 ：
CN202210020327.X
主分类号 ：
H01L21/311
IPC分类号 ：
H01L21/311
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
H01L21/311
绝缘层的刻蚀
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/311
申请日 : 20160701
申请日 : 20160701
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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