半导体器件、制作方法、三维存储器及存储系统
公开
摘要
本发明实施例提供了一种半导体器件、制作方法、三维存储器及存储系统，半导体器件的制作方法，包括：于衬底上形成半导体结构；在半导体结构中沿第一方向形成第一开口，第一开口穿过部分的半导体结构；在第一开口内填入填充块；在填充块中形成第二开口，第二开口沿第一方向贯穿填充块，且被填充块的剩余部分所形成的填充衬壁所环绕；依据第二开口，在半导体结构中形成包括第二开口的第三开口，第三开口沿第一方向向衬底延伸。通过在第二开口的侧壁形成有填充衬壁，填充衬壁对侧壁起保护作用，从而改善形成的第三开口的形貌，进而提高器件的良率和可靠性。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件、制作方法、三维存储器及存储系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300473A
申请号 ：
CN202111651256.5
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张浩郑安发陶源
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
唐秀萍
优先权 ：
CN202111651256.5
主分类号 ：
H01L27/1157
IPC分类号 ：
H01L27/1157 H01L27/11582
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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