集成电路
授权
摘要
一种集成电路，包括：半导体衬底，具有正面；第一电介质区域，从所述正面延伸到所述半导体衬底中；电容性元件，包括在所述正面处的所述第一电介质区域的表面上的堆叠，所述堆叠包括：第一导电区域、第二导电区域和第三导电区域，其中所述第二导电区域通过第二电介质区域与所述第一导电区域电绝缘，并且其中所述第二导电区域通过第三电介质区域与所述第三导电区域电绝缘。
基本信息
专利标题 ：
集成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020258495.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-05
授权号 ：
CN211555888U
授权日 ：
2020-09-22
发明人 ：
A·马扎基
申请人 ：
意法半导体(鲁塞)公司
申请人地址 ：
法国鲁塞
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
崔卿虎
优先权 ：
CN202020258495.9
主分类号 ：
H01L27/11517
IPC分类号 ：
H01L27/11517
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
法律状态
2020-09-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
