非易失性存储器
实质审查的生效
摘要
本公开的各实施例涉及非易失性存储器。一种用于非易失性存储器单元的存储器晶体管包括被植入半导体衬底中的源极区和漏极区。源极区与漏极区隔开。用于存储器晶体管的双栅极区在源极区与漏极区之间的半导体衬底中至少部分地在深度上延伸，并且还延伸超出该源极区和该漏极区。存储器单元还包括具有栅极区的选择晶体管，该栅极区在用于存储器晶体管的双栅极区上方部分延伸。
基本信息
专利标题 ：
非易失性存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446971A
申请号 ：
CN202111213892.X
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-10-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
C·里韦罗P·波伊文F·塔耶R·西莫拉
申请人 ：
意法半导体(鲁塞)公司
申请人地址 ：
法国鲁塞
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
董莘
优先权 ：
CN202111213892.X
主分类号 ：
H01L27/11517
IPC分类号 ：
H01L27/11517 H01L27/115
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11517
申请日 : 20211019
申请日 : 20211019
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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