一种存储器
授权
摘要
本实用新型公开了一种存储器，包括：衬底基板，衬底基板包括多个有源区和多个浅槽隔离区，有源区和浅槽隔离区间隔设置；填充浅槽隔离区的隔离层，隔离层延伸至有源区中靠近浅槽隔离区一侧的部分上表面；位于有源区内的凹槽结构，凹槽结构部分贯穿有源区对应的衬底基板；位于凹槽结构内壁表面并沿凹槽结构内壁延伸至隔离层部分上表面的浮栅，相邻的有源区对应的浮栅之间断开连接；位于浮栅上表面和隔离层上表面的介质层；位于介质层上的控制栅。本实用新型实施例提供的存储器具有较低的功耗和较高的良品率以及可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920514036.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-16
授权号 ：
CN209496871U
授权日 ：
2019-10-15
发明人 ：
刘钊熊涛许毅胜舒清明
申请人 ：
上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路498号1幢502/15
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
孟金喆
优先权 ：
CN201920514036.X
主分类号 ：
H01L27/11517
IPC分类号 ：
H01L27/11517 H01L27/11521
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
法律状态
2019-10-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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