本实用新型公开了一种非易失性存储器结构，属于集成电路技术领域。本实用新型的存储器结构包括：衬底；至少两个隔离结构，每个隔离结构的一端伸入衬底中，使衬底暴露侧壁；凹部形成于每个所述隔离结构侧壁与相邻所述衬底侧壁之间，所述凹部的一部分具有倾斜直线剖面形状所述凹部的另一部分具有弧形曲线剖面形状；隧穿氧化层形成于所衬底的一侧，且覆盖衬底表面及衬底侧壁；浮栅层形成于隧穿氧化层背离衬底的一侧，且覆盖隧穿氧化层、凹部及隔离结构；栅极闸门形成于浮栅层与隧穿氧化层之间，栅极闸门包括多个电流隧穿通道控制面。本实用新型有效的提高了栅极闸门对于电流隧穿通道的控制，减少漏电。