本实用新型公开了一种非易失性存储器结构，属于集成电路技术领域。本实用新型的存储器结构包括：衬底；至少两个隔离结构，每个隔离结构位于衬底中且所述隔离结构的顶面高于衬底表面；凹部，位于每个隔离结构侧壁与相邻衬底侧壁之间，凹部的轮廓线呈弧形曲线型；隧穿氧化层，位于衬底的表面及侧壁；浮栅层，位于隧穿氧化层上及凹部内；介电层，位于浮栅层上；控制栅层，位于介电层上。本实用新型提供的栅极结构包括多个电流隧穿通道控制面，有效的提高了栅极对于电流隧穿通道的控制能力，减少漏电，提高了非易失性存储器的饱和电流。