Nor flash控制栅填充工艺、系统及设备
实质审查的生效
摘要
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种Nor flash控制栅填充工艺、系统及设备，其包括：在闪存器件的ONO DEP后生长CG Dpoly和LPSIN；将PERI区的Dpoly去除；去除后生长一层Upoly；去除Cell区的Upoly，并去除掉LPSIN；以及进行CG ET和GP ET，实现了采用具有较强填充性的D‑Poly工艺进行填充Cell CG,为避免D‑Poly影响PERI LOG的device性能；因此将CG D‑Poly和Gate U‑Poly区分Process,采用3层Poly DEP工艺方式提升Nor flash CG填充window。
基本信息
专利标题 ：
Nor flash控制栅填充工艺、系统及设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284278A
申请号 ：
CN202111561564.9
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
齐翔羽杜怡行顾林王虎张继亮
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘昌荣
优先权 ：
CN202111561564.9
主分类号 ：
H01L27/11521
IPC分类号 ：
H01L27/11521 H01L27/11517
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11521
以存储器核心区为特征的
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11521
申请日 : 20211216
申请日 : 20211216
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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