一种多位扇出共栅型FLASH开关单元结构及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种多位扇出共栅型FLASH开关单元结构及其制备方法，FLASH开关单元包括制备于同一衬底上的编程/擦除MOS管T1以及多个信号传输MOS管T2_n，在衬底内的上部设有阱，编程/擦除MOS管T1的有源区、信号传输MOS管T2_n的有源区均位于阱内，并通过有源区隔离体隔离；开关单元结构的制备方法如下：提供所需的衬底；在衬底上表面设置隧道氧化层，在隧道氧化层上设置浮栅多晶层；设置ONO阻挡层、控制栅多晶层；设置侧墙；设置源区、漏区；设置ILD介质层以及金属层。本发明得到的多位扇出共栅型FLASH开关单元结构简单，兼容CMOS工艺，面积小，可通过控制一个编程/擦除MOS管的编程态/擦除态实现对多路信号的同时开启/关闭，适用于千万门级及以下规模的FPGA电路的工艺集成。
基本信息
专利标题 ：
一种多位扇出共栅型FLASH开关单元结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373767A
申请号 ：
CN202111590862.0
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈浩然刘国柱赵伟魏敬和魏应强魏轶聃
申请人 ：
中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区惠河路5号
代理机构 ：
无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨强
优先权 ：
CN202111590862.0
主分类号 ：
H01L27/1156
IPC分类号 ：
H01L27/1156 H01L27/11517 H01L27/11519
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/1156
申请日 : 20211223
申请日 : 20211223
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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