一种MIM结构的新型efuse器件单元及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种MIM结构的新型efuse器件单元及其制备方法,该efuse器件单元由金属镍层、氧化镍和三氧化二镍混合层、氧化铪层、第一金属铝层、三氧化二铝层、第二金属铝层和金属层自下至上依次堆叠而成;efuse器件单元呈长条状,上下两个金属电极作为Pad。本发明的efuse器件单元制造成本较低,可以较容易的在大规模集成电路设计中得到应用;本发明的efuse器件单元Pad面积较小,可以有效减少漏电流的消耗,且减少在电路设计中的面积占用,方便电路设计;本发明的efuse器件单元产生的热量较小,不需要太多的散热设计,从而方便了电路设计和在线可编程硬件的集成制作。
基本信息
专利标题 :
一种MIM结构的新型efuse器件单元及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114361130A
申请号 :
CN202111657980.9
公开(公告)日 :
2022-04-15
申请日 :
2021-12-30
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
陈冰崔学成曹继芳刘冬夏文泰叶佳宝赵家艺
申请人 :
浙江大学
申请人地址 :
浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
代理机构 :
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 :
刘静
优先权 :
CN202111657980.9
主分类号 :
H01L23/525
IPC分类号 :
H01L23/525 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/525
具有可适用互连装置的
法律状态
2022-05-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/525
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-04-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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