半导体结构的形成方法
实质审查的生效
摘要
一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成浮栅结构材料层；在所述浮栅结构材料层上形成初始控制栅结构，所述初始控制栅结构内具有暴露出所述浮栅结构材料层的第一开口；在所述第一开口侧壁形成第一初始侧墙；在形成所述第一初始侧墙之后，刻蚀所述第一开口内暴露出的浮栅结构材料层以形成初始浮栅结构且所述初始浮栅结构内具有第二开口；在形成所述第二开口之后，对所述第一初始侧墙进行减薄处理以形成第一侧墙。从而浮栅尖端形貌更加稳定，工艺简单。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267594A
申请号 ：
CN202111574023.X
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李志国徐杰
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
唐嘉
优先权 ：
CN202111574023.X
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/788 H01L27/11517
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20211221
申请日 : 20211221
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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