半导体器件
授权
摘要
本实用新型提供了一种半导体器件。半导体器件中具有不同开口尺寸的第一隔离沟槽、第二隔离沟槽和第三隔离沟槽，并根据不同的开口尺寸对应调整填充在第一隔离沟槽、第二隔离沟槽和第三隔离沟槽中的绝缘材料。如此，即实现了半导体器件中沟槽隔离结构的多样性，从而可以根据不同的隔离区域对应采用不同的沟槽隔离结构，提高了沟槽隔离结构应用灵活性；并且，还有利于简化各个沟槽隔离结构的制备难度，提高半导体器件的生产效率。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921204552.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-29
授权号 ：
CN210296339U
授权日 ：
2020-04-10
发明人 ：
赖惠先林昭维朱家仪李秋茂吴仁国吕前宏童宇诚
申请人 ：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
王宏婧
优先权 ：
CN201921204552.9
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2020-04-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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