绝缘膜半导体装置及方法
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摘要
本发明提供一种半导体装置及其制造方法，以实现更小的低压晶体管，同时保持高压晶体管的特性。通过选择性地存留第一元件隔离绝缘膜(2)来隔离第一晶体管形成区。第二晶体管形成区由经选择性氧化的第二元件隔离绝缘膜(3)来隔离。在由第一元件隔离绝缘膜(2)隔离的区上，形成具有第一沟道形成区、第一源极/漏极区(12、13、14)和为第一膜厚的第一栅极绝缘膜(16)及第一栅电极(17)的第一晶体管(Tr1)。在由第二元件隔离绝缘膜(3)隔离的区上，形成具有第二沟道形成区、第二源极/漏极区(32、41)、厚度小于所述第一膜厚的第二栅极绝缘膜(33、42)、及第二栅电极(34、43)的第二晶体管(Tr3、Tr4)。
基本信息
专利标题 ：
绝缘膜半导体装置及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101076894A
申请号 ：
CN200580042404.6
公开（公告）日 ：
2007-11-21
申请日 ：
2005-11-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
奥村洋一
申请人 ：
德州仪器公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王允方
优先权 ：
CN200580042404.6
主分类号 ：
H01L29/76
IPC分类号 ：
H01L29/76 H01L21/762
法律状态
2009-04-29 ：
授权
2008-01-16 ：
实质审查的生效
2007-11-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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