半导体装置及互补型金属绝缘半导体逻辑电路
专利权的终止
摘要
本发明目的在于提供一种半导体装置，包括一个具有以SOI结构绝缘分离的绝缘分离层4的NchMOS晶体管(1)和一个用绝缘膜形成的电容器，减小硅衬底(B)的厚度来减小衬底电容量。NchMOS晶体管(1)具有绝缘分离区域(5a、5b)以使其成为完全耗尽型或近似的部分耗尽型。与NchMOS晶体管(1)的栅极G连接的电极(6)和杂质扩散层(7)，通过电容器(2)相连接。源极(S)与电源端子(3a)连接，栅极(G)与内部信号线(S1)连接，漏极(D)与内部信号线(S2)连接。NchMOS晶体管(1)在导通/截止时，通过电容器耦合来控制衬底偏置电压。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及互补型金属绝缘半导体逻辑电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1825602A
申请号 ：
CN200610008583.8
公开（公告）日 ：
2006-08-30
申请日 ：
2006-02-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
伊藤稔
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
邵亚丽
优先权 ：
CN200610008583.8
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12
法律状态
2014-04-09 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101581316713
IPC(主分类) : H01L 27/12
专利号 : ZL2006100085838
申请日 : 20060217
授权公告日 : 20100512
终止日期 : 20130217
号牌文件序号 : 101581316713
IPC(主分类) : H01L 27/12
专利号 : ZL2006100085838
申请日 : 20060217
授权公告日 : 20100512
终止日期 : 20130217
2010-05-12 ：
授权
2007-11-07 ：
实质审查的生效
2006-08-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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