一种半导体结构的形成方法
实质审查的生效
摘要
一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括基底、以及位于所述基底表面的鳍部，形成横跨所述鳍部并覆盖所述鳍部的部分顶部表面和侧壁的栅极结构，所述栅极结构包括栅极层，以所述栅极结构为掩膜，在部分相邻栅极结构之间的所述鳍部内形成第一沟槽，在所述第一沟槽内填充隔离材料层，形成第一隔离结构，形成所述第一沟槽时的图形化层的尺寸较大，以此增大图形化工艺的工艺窗口，因此可以实现自对准形成双扩散隔断结构，降低了对光刻工艺的要求。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体结构的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267593A
申请号 ：
CN202010975875.9
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2020-09-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周飞
申请人 ：
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐文欣
优先权 ：
CN202010975875.9
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/78 H01L21/762
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20200916
申请日 : 20200916
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
