具有应变硅层的晶片结构体的制造方法和该方法的中间产物
授权
摘要
本发明涉及具有应变硅层的晶片结构体的制造方法和该方法的中间产物。该制造方法包括：提供包含支撑基片并且在顶部具有应变硅模型层的原型晶片；在应变硅模型层上外延生长松弛的辅助SiGe层；在松弛的辅助SiGe层上外延生长应变硅应用层；和在辅助SiGe层中形成的预定剥离区处剥离该结构体。该中间产物包括：包含支撑基片和应变硅模型层的原型晶片；位于应变硅模型层上的松弛的辅助SiGe层，其中在该松弛的辅助SiGe层中形成预定的剥离区；和位于该辅助SiGe层上的应变硅应用层。
基本信息
专利标题 ：
具有应变硅层的晶片结构体的制造方法和该方法的中间产物
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1767148A
申请号 ：
CN200510105083.1
公开（公告）日 ：
2006-05-03
申请日 ：
2005-09-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
伊夫－马蒂厄·拉瓦伊兰特
申请人 ：
硅绝缘体技术有限公司
申请人地址 ：
法国伯涅尼
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁香兰
优先权 ：
CN200510105083.1
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/762 H01L21/20
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2008-02-13 ：
授权
2006-06-28 ：
实质审查的生效
2006-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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