本发明提供一种半导体结构及其制作方法。所述制作方法包括：提供半导体衬底以及位于半导体衬底上的外延层；在外延层中形成多个主凹槽，主凹槽的底面露出半导体衬底，剩余的外延层作为多个虚设栅极；虚设栅极具有相对的顶面和底面，其中，虚设栅极的顶面宽度大于底面宽度，且其顶面与底面之间具有收缩部，从而后续获得的金属栅极结构也为上宽下窄的形状且具有收缩部，如此有助于提高金属栅极结构的电流控制能力，减小金属栅极结构的寄生电容，进一步提高半导体器件的电性能。本发明提供的半导体结构包括上述的虚设栅极或金属栅极结构。