自对准沟槽MOSFET的结构和方法
授权
摘要
一种MOSFET器件结构，该MOSFET器件结构在半导体晶片上形成。所述结构包括形成在p本体区中的多个MOS栅极沟槽和自对准p+接触沟槽的阵列。MOS栅极沟槽的沟槽深度比所述自对准p+接触沟槽的沟槽深度深。在每个MOS栅极沟槽下方形成P掺杂屏蔽区。
基本信息
专利标题 ：
自对准沟槽MOSFET的结构和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111727491A
申请号 ：
CN201980013918.0
公开（公告）日 ：
2020-09-29
申请日 ：
2019-03-01
授权号 ：
CN111727491B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
哈姆扎·耶尔马兹
申请人 ：
艾鲍尔半导体
申请人地址 ：
美国加利福尼亚
代理机构 ：
上海旭诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
郑立
优先权 ：
CN201980013918.0
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L21/68 H01L27/088 H01L21/8234 H01L29/06 H01L29/43
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2021-03-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/28
申请日 : 20190301
申请日 : 20190301
2020-09-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
