一种自对准沟槽栅结构IGBT
授权
摘要
本申请涉及半导体制造领域，特别是自对准沟槽栅结构IGBT，包括衬底，所述衬底正面上方设置有第二导电类型层a，衬底上部设置有多根沟槽，且所述沟槽同时贯穿对应位置处的第二导电类型层a，沟槽内设置有第一绝缘介质层，第一绝缘介质层内设置有第一导电层，且第一导电层与第一绝缘介质层顶部齐平，第一绝缘介质层顶部设置有宽度大于第一绝缘介质层的第二绝缘介质层，第二绝缘介质层的中部设置有第三绝缘介质层，且第三绝缘介质层的宽度与第一导电层的宽度相同。本申请在沟槽栅填充后，进行反填充盖帽处理，金属电极接触孔的宽度可以根据自对准氧化层厚度灵活调整，保证结构设计的自由度。
基本信息
专利标题 ：
一种自对准沟槽栅结构IGBT
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122903860.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-25
授权号 ：
CN216450649U
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
胡强唐茂森马克强王思亮蒋兴莉
申请人 ：
成都森未科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区天府大道北段1480号6栋4层405号
代理机构 ：
成都天嘉专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
苏丹
优先权 ：
CN202122903860.4
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/417
法律状态
2022-05-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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