降低浅沟槽隔离的高度差的制作方法

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摘要

本发明公开一种降低浅沟槽隔离的高度差的制作方法，其包含提供一基底包含一周边电路区，周边电路区包含一P型晶体管区和一N型晶体管区，一第一浅沟槽隔离和一第三浅沟槽隔离分别位N型晶体管区和P型晶体管区，然后形成一第一掩模覆盖N型晶体管区，之后以第一掩模为掩模，在P型晶体管区内形成一N型阱区并且以第一掩模为掩模移除部分第三浅沟槽隔离，接续移除第一掩模，然后形成一第二掩模覆盖P型晶体管区，接着以第二掩模为掩模，在周边电路区内的N型晶体管区形成一P型阱区并且以第二掩模为掩模移除部分的第一浅沟槽隔离，然后移除第二掩模。

基本信息

专利标题：

降低浅沟槽隔离的高度差的制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113611654A

申请号：

CN202011208973.6

公开（公告）日：

2021-11-05

申请日：

2020-11-03

授权号：

CN113611654B

授权日：

2022-04-19

发明人：

陈慧敏顾颂黄凯斌谈文毅

申请人：

联芯集成电路制造(厦门)有限公司

申请人地址：

福建省厦门市翔安区万家春路899号

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陈小雯

优先权：

CN202011208973.6

主分类号：

H01L21/762

IPC分类号：

H01L21/762