一种微沟槽栅IGBT正面的制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明属于微电子技术领域，涉及一种微沟槽栅IGBT正面的制作方法。本发明在接触孔光刻及刻蚀后进行P型重掺杂区的光刻及注入激活，一方面在接触孔刻蚀后进行P型重掺杂区光刻再注入P型重掺杂区，可以结合接触孔的形貌有效控制P型重掺杂区与N型重掺杂区的间距，从而改善阈值分布一致性；另一方面，P型重掺杂区的光刻及注入激活放在接触孔刻蚀后，P型重掺杂区光刻版上的形貌设置可以大于实际要注入到硅中的P型重掺杂区，还避免了现有工艺中在接触孔光刻及刻蚀前进行P型重掺杂区注入，P型重掺杂区需要注入区域小，光刻工艺波动会对P型重掺杂区注入产生较大影响的风险，从而提高了器件的可制作性。
基本信息
专利标题 ：
一种微沟槽栅IGBT正面的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284148A
申请号 ：
CN202111627688.2
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨晓鸾许生根
申请人 ：
江苏中科君芯科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D2栋五层
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹祖良
优先权 ：
CN202111627688.2
主分类号 ：
H01L21/331
IPC分类号 ：
H01L21/331 H01L29/739
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/328
制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/33
包括3个或更多电极的器件
H01L21/331
晶体管
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/331
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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