一种具有过流限制功能的多晶硅及其构建方法
授权
摘要
本发明公开了一种具有过流限制功能的多晶硅，所述多晶硅包括：主绝缘栅双极型晶体管IGBT区域、分离区域及感测IGBT区域，所述分离区域位于所述主IGBT区域与所述感测IGBT区域之间，所述分离区域设置用于对IGBT进行过流限制的过流限制区域；所述过流限制区域在SiO2上设置有用于联合实现过流限制功能的齐纳二极管、双极过流限制三级管、第一温度补偿二极管、第二温度补偿二极管、第一检测电阻以及第二检测电阻；主IGBT区域的上方设置有发射极；主IGBT区域、分离区域及感测IGBT区域的下方设置有n‑型漂移区，所述n‑型漂移区的下方设置n+型缓冲区，所述n+型缓冲区的下方设置p+型集电极区，p+型集电极区的下方连接所述集电极。
基本信息
专利标题 ：
一种具有过流限制功能的多晶硅及其构建方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111370478A
申请号 ：
CN201811595361.X
公开（公告）日 ：
2020-07-03
申请日 ：
2018-12-25
授权号 ：
CN111370478B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
樱井建弥吴磊
申请人 ：
上海新微技术研发中心有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区城北路235号3号楼
代理机构 ：
北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘元霞
优先权 ：
CN201811595361.X
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L21/331
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2020-12-15 ：
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : H01L 29/739
登记生效日 : 20201203
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 上海新微技术研发中心有限公司
变更后权利人 : 上海睿驱微电子科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201800 上海市嘉定区城北路235号3号楼
变更后权利人 : 201800 上海市嘉定区城北路235号2号楼255室
登记生效日 : 20201203
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 上海新微技术研发中心有限公司
变更后权利人 : 上海睿驱微电子科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201800 上海市嘉定区城北路235号3号楼
变更后权利人 : 201800 上海市嘉定区城北路235号2号楼255室
2020-07-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/739
申请日 : 20181225
申请日 : 20181225
2020-07-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
