半导体器件
专利权的终止
摘要
一种半导体器件，它在一个半导体衬底上包括一个由收集区、第一基区和第一发射区组成的输出晶体管和一个由收集区、第二基区和第二发射区组成的测温晶体管。输出晶体管位于半导体衬底收集区的中央。在输出晶体管的中央形成有一个未被占用区，测温晶体管就制作在这一未被占用区内。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1106572A
申请号 ：
CN94102117.3
公开（公告）日 ：
1995-08-09
申请日 ：
1994-02-07
授权号 ：
CN1059054C
授权日 ：
2000-11-29
发明人 ：
名仓英明横沢真睹椿和彦吉村昌佑
申请人 ：
松下电子工业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN94102117.3
主分类号 ：
H01L29/73
IPC分类号 ：
H01L29/73 H01L21/331
法律状态
2013-03-27 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101426319141
IPC(主分类) : H01L 29/73
专利号 : ZL941021173
申请日 : 19940207
授权公告日 : 20001129
终止日期 : 20120207
号牌文件序号 : 101426319141
IPC(主分类) : H01L 29/73
专利号 : ZL941021173
申请日 : 19940207
授权公告日 : 20001129
终止日期 : 20120207
2001-10-31 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
变更事项 : 专利权人
变更前 : 松下电子工业株式会社
变更后 : 松下电器产业株式会社
变更前 : 松下电子工业株式会社
变更后 : 松下电器产业株式会社
2000-11-29 ：
授权
1996-06-12 ：
实质审查请求的生效
1995-08-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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