用于制造半导体对象的方法以及半导体对象
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
用于制造半导体对象、特别是高频双极型晶体管或者垂直集成的高频共射－共基放大器结构的方法，其中施加由第一半导体材料构成的基极区域；在基极区域上方施加一个硅化物层；在硅化物层的施加之后在硅化物层中产生一个开口，其方法是在开口范围中的该硅化物层被去除，并且接着在该开口内构造一个发射极区域。
基本信息
专利标题 ：
用于制造半导体对象的方法以及半导体对象
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790636A
申请号 ：
CN200510116290.7
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-11-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
克里斯托夫·布龙贝格尔
申请人 ：
ATMEL德国有限公司
申请人地址 ：
德国海尔布隆
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
曾立
优先权 ：
CN200510116290.7
主分类号 ：
H01L21/331
IPC分类号 ：
H01L21/331 H01L29/72 H01L27/082
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/328
制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/33
包括3个或更多电极的器件
H01L21/331
晶体管
法律状态
2009-09-09 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-12-05 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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