用于制造半导体装置的方法
专利权的终止
摘要
提供了一种用于制造半导体装置的方法。该方法包括：在基片上形成装置隔离层；在基片上顺序形成防反射涂层和光刻胶层；图案化防反射涂层和光刻胶层以暴露将在其中形成金属氧化物半导体(MOS)晶体管的有源区的基片区；以及以预定厚度使所暴露的基片区凹陷。
基本信息
专利标题 ：
用于制造半导体装置的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822335A
申请号 ：
CN200510097448.0
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2005-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
南基元金宰永
申请人 ：
海力士半导体有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨红梅
优先权 ：
CN200510097448.0
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/3065
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2015-02-18 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101599304945
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2005100974480
申请日 : 20051228
授权公告日 : 20081217
终止日期 : 20131228
号牌文件序号 : 101599304945
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2005100974480
申请日 : 20051228
授权公告日 : 20081217
终止日期 : 20131228
2008-12-17 ：
授权
2006-10-18 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
