用于制造半导体装置的方法

专利申请权、专利权的转移

摘要

提供了一种制造用于芯片上系统(SOC)的半导体装置的方法，用于在一个芯片内实施用于逻辑装置的晶体管，电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)单元和闪存单元。通过使用第一多晶硅层来形成EEPROM单元和闪存单元的浮动栅；并且，通过使用第二多晶硅层来形成逻辑装置的栅电极以及EEPROM单元和闪存单元的控制栅。这样，有可能在一个芯片内稳定地形成逻辑装置，EEPROM单元和闪存单元。

基本信息

专利标题：

用于制造半导体装置的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1855425A

申请号：

CN200510097534.1

公开（公告）日：

2006-11-01

申请日：

2005-12-30

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

郑涌植

申请人：

美格纳半导体有限会社

申请人地址：

韩国忠清北道

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

徐谦

优先权：

CN200510097534.1

主分类号：

H01L21/822

IPC分类号：

H01L21/822 H01L21/8247

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/70

由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

H01L21/77

在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理

H01L21/78

把衬底连续地分成多个独立的器件

H01L21/82

制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路

H01L21/822

衬底是采用硅工艺的半导体的

法律状态

2020-11-03 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/822
登记生效日 : 20201022
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 美格纳半导体有限会社
变更后权利人 : 启方半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国忠清北道
变更后权利人 : 韩国忠清北道

2008-07-16 ：

授权

2006-12-27 ：

实质审查的生效

2006-11-01 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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