半导体装置及其制造方法

专利权的终止

摘要

一种半导体装置及其制造方法，在现有的功率MOSFET中，由于在元件部产生击穿，在保护环结束，故存在击穿位置移动，产生击穿电压不稳定的蠕变现象的问题。在本发明中，在包围元件部的元件外周部形成npn结或pin结，施加与元件部的源极电极相同的电位，使元件外周部的击穿电压通常比元件部的击穿电压低。或者，降低元件外周部的电阻。由此，击穿通常在元件外周部产生，击穿电压稳定。并且，由于在脆弱的栅极氧化膜不产生击穿，从而防止击穿引起的破坏。另外，由于电阻变低，故静电破坏承受力提高。

基本信息

专利标题：

半导体装置及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1794451A

申请号：

CN200510124780.1

公开（公告）日：

2006-06-28

申请日：

2005-11-15

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

金子守

申请人：

三洋电机株式会社

申请人地址：

日本大阪府

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李贵亮

优先权：

CN200510124780.1

主分类号：

H01L27/04

IPC分类号：

H01L27/04 H01L21/822

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L27/00

由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件

H01L27/02

包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的

H01L27/04

其衬底为半导体的

法律状态

2021-10-26 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 27/04
申请日 : 20051115
授权公告日 : 20090715
终止日期 : 20201115

2009-07-15 ：

授权

2006-08-23 ：

实质审查的生效

2006-06-28 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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