半导体装置及其制造方法
授权
摘要
提供一种能够抑制过电压保护二极管的耐压变动的半导体装置及其制造方法。实施方式涉及的半导体装置1包括：导电性的半导体基板2；绝缘膜4，形成在半导体基板2上；过电压保护二极管5，形成在绝缘膜4上，并且其N型半导体层5a与P型半导体层5b邻接配置；以及绝缘膜15，覆盖过电压保护二极管5，其中，P型半导体层5b中P型掺杂物的浓度，比N型半导体层5a中N型掺杂物的浓度更低，P型掺杂物的浓度峰值位于界面区域F1与界面区域F2之间的非界面区域G上。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109952633A
申请号 ：
CN201680018331.5
公开（公告）日 ：
2019-06-28
申请日 ：
2016-09-13
授权号 ：
CN109952633B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
小谷凉平松原寿树石塚信隆三川雅人押野浩
申请人 ：
新电元工业株式会社
申请人地址 ：
日本国东京都千代田区大手町二丁目2番1号
代理机构 ：
上海德昭知识产权代理有限公司
代理人 ：
郁旦蓉
优先权 ：
CN201680018331.5
主分类号 ：
H01L21/329
IPC分类号 ：
H01L21/329 H01L21/336 H01L21/822 H01L27/04 H01L29/78 H01L29/866
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/328
制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/329
包括1个或两个电极的器件，例如二极管
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2019-07-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/329
申请日 : 20160913
申请日 : 20160913
2019-06-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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