半导体装置及半导体装置的制造方法
实质审查的生效
摘要
针对具有纵向构造的半导体装置，解决由在形成缓冲层时导入至晶片中的晶体缺陷的影响导致的问题，并且实现各种特性的提高。半导体装置具有：第1导电型的N‑漂移层(14)，其形成于半导体基板；P基极层(9)，其形成于N‑漂移层(14)之上；以及第1导电型的N缓冲层(15)，其形成于N‑漂移层(14)之下，峰值杂质浓度比N‑漂移层(14)高。N缓冲层(15)包含：第1缓冲层(15‑1)，其是通过光致发光法没有检测出源自晶格缺陷的陷阱能级的层；以及第2缓冲层(15‑2)，其是设置于第1缓冲层(15‑1)和N‑漂移层(14)之间，通过光致发光法检测出两种源自晶格缺陷的陷阱能级的层。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114447098A
申请号 ：
CN202111260903.X
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-10-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
中村胜光
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
何立波
优先权 ：
CN202111260903.X
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/739 H01L29/861 H01L21/329 H01L21/331
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211028
申请日 : 20211028
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
