半导体装置及半导体装置的制造方法
公开
摘要
本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。提供即使在半导体基板内形成成为寿命抑制要素的晶体缺陷，电气特性也稳定的半导体装置。具有：第1半导体层(2)，其设置于第1主面(1a)与n‑型漂移层(1)之间；第1缓冲层(5)，其设置在第2主面(1b)与n‑型漂移层之间，具有氢致施主；第2半导体层(3)，其设置于第2主面(1b)与第1缓冲层(5)之间，第1缓冲层5具有从第2主面(1b)朝向第1主面(1a)侧而密度下降的间隙碳与间隙氧之间的复合缺陷。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300527A
申请号 ：
CN202111163574.7
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
大塚翔瑠冈本隼人中村胜光田中香次西康一
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
何立波
优先权 ：
CN202111163574.7
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/861 H01L21/329
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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