半导体装置及其制造方法
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摘要
本发明提出了一种半导体装置及其制造方法，其中半导体装置包含设置于半导体基底上的第一氮化镓层，其中第一氮化镓层具有第一导电类型，设置于第一氮化镓层上的第二氮化镓层，其中第二氮化镓层具有第一导电类型，且第一氮化镓层的掺质浓度高于第二氮化镓层的掺质浓度，设置于第二氮化镓层上的阳极电极，设置于第一氮化镓层上且直接接触第一氮化镓层的阴极电极，以及设置于第一氮化镓层上且直接接触第一氮化镓层的绝缘区，其中绝缘区位于阴极电极与第二氮化镓层之间。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109473483A
申请号 ：
CN201710803403.3
公开（公告）日 ：
2019-03-15
申请日 ：
2017-09-08
授权号 ：
CN109473483B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
邱建维林鑫成林永豪
申请人 ：
世界先进积体电路股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
贾磊
优先权 ：
CN201710803403.3
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/207 H01L21/329
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2019-04-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/872
申请日 : 20170908
申请日 : 20170908
2019-03-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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