半导体装置及其制造方法

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摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其中半导体装置包括基板，其具有第一导电类型；第二导电类型第一外延层，设置于基板上；第二导电类型第二外延层，设置于第二导电类型第一外延层上；基板的主动区包括：第一导电类型埋藏层，设置于第二导电类型第一外延层和第二导电类型第二外延层内；第一导电类型掺杂阱，设置于上述第二导电类型第二外延层内；第二导电类型重掺杂区，设置于第一导电类型掺杂阱上；第一沟槽隔离物，设置于上述基板中；第一导电类型掺杂区，设置于上述第一沟槽隔离物的一底面和上述第一导电类型埋藏层之间。

基本信息

专利标题：

半导体装置及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110021671A

申请号：

CN201811610995.8

公开（公告）日：

2019-07-16

申请日：

2018-12-27

授权号：

CN110021671B

授权日：

2022-05-06

发明人：

韦维克陈柏安廖锦源

申请人：

新唐科技股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

王天尧

优先权：

CN201811610995.8

主分类号：

H01L29/861

IPC分类号：

H01L29/861 H01L29/06 H01L21/329 H01L27/02

法律状态

2022-05-06 ：

授权

2019-08-09 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 29/861
申请日 : 20181227

2019-07-16 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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