半导体装置及其制造方法
授权
摘要
本发明涉及包括一个带有集成的PN二极管的沟槽－结－势垒－肖特基二极管的半导体装置(30)及其制造方法。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101091260A
申请号 ：
CN200580037812.2
公开（公告）日 ：
2007-12-19
申请日 ：
2005-10-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
A·格拉赫曲宁
申请人 ：
罗伯特·博世有限公司
申请人地址 ：
德国斯图加特
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
侯鸣慧
优先权 ：
CN200580037812.2
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L21/329 H01L29/861 H01L29/866
法律状态
2013-04-17 ：
授权
2008-02-13 ：
实质审查的生效
2007-12-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
