半导体装置和半导体装置的制造方法
授权
摘要
对插塞电极(12)进行凹蚀而使其仅残留在接触孔(8a)的内部，并且使层间绝缘膜(8)的上表面(8e)上的阻挡金属(9)露出。然后，对阻挡金属(9)进行凹蚀，使层间绝缘膜(8)的上表面(8e)露出。然后，形成其余的元件结构，并利用氦或电子束照射控制寿命，之后进行氢退火。在该氢退火时，由于在覆盖栅电极(4)的层间绝缘膜(8)的上表面(8e)不存在阻挡金属(9)，所以能够使氢原子到达台面部。由此，因氦或电子束的照射而产生于台面部的晶格缺陷恢复，栅极阈值电压恢复。由此，即使在对于具备插塞电极隔着阻挡金属埋入接触孔的结构的半导体装置进行了寿命控制的情况下也能稳定且容易地得到该半导体装置的预定特性。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置和半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109314139A
申请号 ：
CN201780032407.4
公开（公告）日 ：
2019-02-05
申请日 ：
2017-09-15
授权号 ：
CN109314139B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
宫田大嗣野口晴司吉田崇一田边広光河野宪司大仓康嗣
申请人 ：
富士电机株式会社;株式会社电装
申请人地址 ：
日本神奈川县川崎市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
金玉兰
优先权 ：
CN201780032407.4
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/28 H01L21/322 H01L21/329 H01L21/336 H01L29/41 H01L29/739 H01L29/861 H01L29/868
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2019-03-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20170915
申请日 : 20170915
2019-02-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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