半导体装置及其制造方法

专利权的终止

摘要

提供了一种半导体装置及其制造方法。在对STI边缘区域进行规定的预处理后，通过热氧化形成双栅氧化物层，其结果是，借助热氧化的高质量氧化物层，以及高电压装置区域的均匀保持的栅氧化物层厚度。本发明包括：被分成有源区域和无源区域的半导体基板，所述有源区域包括高电压装置区域和低电压装置区域；半导体基板的无源区域上的装置隔离层；以及半导体基板的高电压装置区域上的栅氧化物层，该栅氧化物层具有均匀的厚度。

基本信息

专利标题：

半导体装置及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1819198A

申请号：

CN200510137616.4

公开（公告）日：

2006-08-16

申请日：

2005-12-26

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

金昌男

申请人：

东部亚南半导体株式会社

申请人地址：

韩国首尔

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

徐谦

优先权：

CN200510137616.4

主分类号：

H01L27/04

IPC分类号：

H01L27/04 H01L21/822

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L27/00

由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件

H01L27/02

包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的

H01L27/04

其衬底为半导体的

法律状态

2015-02-18 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101599308791
IPC(主分类) : H01L 27/04
专利号 : ZL2005101376164
申请日 : 20051226
授权公告日 : 20090826
终止日期 : 20131226

2009-08-26 ：

授权

2006-10-11 ：

实质审查的生效

2006-08-16 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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