半导体装置及其制造方法
授权
摘要
一种半导体装置，沟道层的杂质区域为较低的区域。以带状形成栅极电极，以梯状形成源极区域的图案中，由于部分地在源极区域正下方配置作为沟道层的低浓度区域，故发生电位降，存在雪崩能量劣化的问题。本发明中，在将栅极电极形成为带状，将源极区域形成为梯状的图案中，与栅极电极平行地设置带状体区。在与栅极电极邻接的第一源极区域间的沟道层表面露出第一体区，在将第一源极区域相互连结的第二源极区域下方设置第二体区。由此，可提高雪崩容量。另外，由于形成体区时不需要掩模，故有利于实现对位精度。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822394A
申请号 ：
CN200610006390.9
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2006-01-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
石田裕康及川慎冈田喜久雄宫原正二落合直弘栉山和成
申请人 ：
三洋电机株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李贵亮
优先权 ：
CN200610006390.9
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L27/04 H01L21/336 H01L21/822
法律状态
2009-02-18 ：
授权
2006-10-18 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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