用于制造半导体的方法和装置

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

摘要

本发明公开了一种用于制造半导体的方法和装置，其适用于形成无定形碳减反射膜，所述无定形碳减反射膜通过提高抗蚀刻性而具有高选择性，并保持较低的与减反射率相关联的消光系数。根据本发明的用于形成无定形碳减反射膜的制造半导体的方法包括：(a)在衬底的底部膜上沉积无定形有机碳膜；以及(b)将包含氮(N)、氟(F)或硅(Si)的化合物添加至无定形有机碳膜的表面或内部，从而沉积具有高选择性的a－C:N、a－C:F或a－C:Si薄膜，利用原子层沉积工艺沉积的a－C:N、a－C:F或a－C:Si薄膜的厚度为几纳米至几十纳米。因此，在无定形碳减反射膜上或其内部形成具有抗蚀刻性的超薄膜，并且增大了无定形碳减反射膜的密度和压应力，从而提高了蚀刻选择性。

基本信息

专利标题：

用于制造半导体的方法和装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101095217A

申请号：

CN200580040208.5

公开（公告）日：

2007-12-26

申请日：

2005-11-28

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

李起薰朴永薰李相奎徐泰旭张镐承

申请人：

IPS有限公司

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司

代理人：

余朦

优先权：

CN200580040208.5

主分类号：

H01L21/31

IPC分类号：

H01L21/31

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/30

用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的

H01L21/31

在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择

法律状态

2016-08-17 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101737485615
IPC(主分类) : H01L 21/31
专利号 : ZL2005800402085
变更事项 : 专利权人
变更前 : 圆益IPS股份有限公司
变更后 : 圆益控股股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 韩国京畿道
变更后 : 韩国京畿道平泽市漆怪街78-40(芝制洞)

2016-08-17 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101737485616
IPC(主分类) : H01L 21/31
专利号 : ZL2005800402085
登记生效日 : 20160728
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 圆益控股股份有限公司
变更后权利人 : 圆益IPS股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道平泽市漆怪街78-40(芝制洞)
变更后权利人 : 韩国京畿道平泽市振威面振威产团路75

2012-02-15 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101280128333
IPC(主分类) : H01L 21/31
专利号 : ZL2005800402085
变更事项 : 专利权人
变更前 : IPS有限公司
变更后 : 圆益IPS股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 韩国京畿道
变更后 : 韩国京畿道

2009-09-02 ：

授权

2008-02-20 ：

实质审查的生效

2007-12-26 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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