半导体装置的制造方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明涉及一种半导体装置的制造方法，在所述制造方法中，通过被等离子体活化的氮对在基底上形成的氧化硅膜进行等离子体氮化处理后，在含有具有氮原子的化合物的气体氛围中进行热氮化处理，在氧化硅膜表面附近及氧化硅膜与基底的界面附近分别形成具有氮浓度峰的氧氮化硅膜。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101023518A
申请号 ：
CN200580031845.6
公开（公告）日 ：
2007-08-22
申请日 ：
2005-10-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
寺崎正平野晃人中山雅则小川云龙
申请人 ：
株式会社日立国际电气
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
杨宏军
优先权 ：
CN200580031845.6
主分类号 ：
H01L21/318
IPC分类号 ：
H01L21/318 H01L29/788 H01L21/8247 H01L29/792 H01L27/115
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314
无机层
H01L21/318
由氮化物组成的无机层
法律状态
2018-12-18 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/318
登记生效日 : 20181129
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 株式会社日立国际电气
变更后权利人 : 株式会社国际电气
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本东京都
登记生效日 : 20181129
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 株式会社日立国际电气
变更后权利人 : 株式会社国际电气
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本东京都
2009-04-01 ：
授权
2007-10-17 ：
实质审查的生效
2007-08-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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