一种多沟槽功率MOSFET结构及其制作方法
公开
摘要
本发明公开了一种多沟槽功率MOSFET结构及其制作方法，在衬底上方为轻掺杂外延层，轻掺杂外延层上方为漂移区，漂移区内等间距分布若干向下的沟槽，沟槽内表面设有一层栅氧化层，并在沟槽内淀积形成多晶硅栅，多晶硅栅的顶部淀积金属形成栅极电极。各沟槽之间的漂移区表面向下离子注入形成基区；对各基区的上方左右半边分别进行重掺杂离子注入形成不同导电类型的源区。在相邻沟槽之间的漂移区上方还分别设有源区电极；在源区上方未覆盖源区电极的区域覆盖氧化介质层。本发明通过调整源区的布局，有效解决现有技术中添加接触孔做源极电极时，接触孔和沟槽套刻对位需要精确的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种多沟槽功率MOSFET结构及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628496A
申请号 ：
CN202210516981.X
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-05-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
程晨王彬徐凯吴李瑞张永生
申请人 ：
江苏游隼微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市栖霞区麒麟科技创新园启迪大街188号二楼启迪之星南京众创空间G41
代理机构 ：
南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
吴旭
优先权 ：
CN202210516981.X
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/423 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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