一种基于交叉耦合结构的太赫兹探测器
授权
摘要

本实用新型公开了一种基于交叉耦合结构的太赫兹探测器,包括天线,天线分别经一号匹配网络、二号匹配网络连接至一号MOS场效应晶体管栅极、二号MOS场效应晶体管栅极,一号MOS场效应晶体管和二号MOS场效应晶体管的源极均接地,一号MOS场效应晶体管漏极和二号MOS场效应晶体管漏极分别经四号微带传输线、八号微带传输线连接至信号输出端口,一号MOS场效应晶体管漏极经一号电容连接二号MOS场效应晶体管栅极,二号MOS场效应晶体管漏极经二号电容连接一号MOS场效应晶体管栅极。本实用新型实现天线到晶体管之间的功率最大化传输。

基本信息
专利标题 :
一种基于交叉耦合结构的太赫兹探测器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922238250.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-13
授权号 :
CN211626680U
授权日 :
2020-10-02
发明人 :
吴淘锁白红梅
申请人 :
呼伦贝尔学院
申请人地址 :
内蒙古自治区呼伦贝尔市海拉尔区学府路83号
代理机构 :
天津市北洋有限责任专利代理事务所
代理人 :
吴学颖
优先权 :
CN201922238250.X
主分类号 :
G01J1/42
IPC分类号 :
G01J1/42  H03H11/28  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01J
红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分,偏振、相位或脉冲特性的测量;比色法;辐射高温测定法
G01J1/00
光度测定法,例如照相的曝光表
G01J1/42
采用电辐射检测器
法律状态
2020-10-02 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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