一种集成硅光子晶体微腔的太赫兹探测器
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摘要
本发明提出了一种集成硅光子晶体微腔的太赫兹探测器，包括二维光子晶体平板、L1型光子微腔和太赫兹探测器，其中：二维光子晶体平板上晶格周期排列形成三角晶格结构，二维光子晶体平板上设置L1型光子微腔，L1型光子微腔上微纳加工制备太赫兹探测器。本发明光子晶体微腔耦合结构相比于天线耦合结构，损耗更小，效率更高，谐振的品质因素更高，消除了太赫兹探测器衬底效应的干扰，提高了探测器的灵敏度。
基本信息
专利标题 ：
一种集成硅光子晶体微腔的太赫兹探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112747821A
申请号 ：
CN202011548240.7
公开（公告）日 ：
2021-05-04
申请日 ：
2020-12-23
授权号 ：
CN112747821B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
涂学凑张祎琛周淑宇蒋成涛贾小氢赵清源张蜡宝康琳陈健吴培亨
申请人 ：
南京大学
申请人地址 ：
江苏省南京市栖霞区仙林大道163号
代理机构 ：
南京理工大学专利中心
代理人 ：
封睿
优先权 ：
CN202011548240.7
主分类号 ：
G01J1/42
IPC分类号 ：
G01J1/42 G02B6/122 G02B6/293
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01J
红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法
G01J1/00
光度测定法，例如照相的曝光表
G01J1/42
采用电辐射检测器
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2021-05-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01J 1/42
申请日 : 20201223
申请日 : 20201223
2021-05-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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