一种范德瓦尔斯非对称势垒结构的红外探测器
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摘要
本专利公开了一种范德瓦尔斯非对称势垒结构的红外探测器。所述探测器结构包括衬底、介质层、石墨烯层、二硫化钼层、黑磷层和金属源、漏电极。器件制备步骤是将机械剥离的石墨烯、二硫化钼和黑磷依次转移到具有介质层的衬底上，运用电子束曝光和热蒸发等工艺分别在黑磷和石墨烯上制作金属源、漏电极，形成了垂直结构的范德瓦尔斯单载流子红外光电探测器。利用二维材料丰富的能带结构和独特的物理特性，设计了多子阻挡的非对称势垒能带结构，可以对暗电流进行有效的抑制，进而实现了中波红外的室温黑体探测、偏振探测和红外成像。该探测器具有室温工作、多子阻挡、中波红外响应、灵敏度高、响应快及黑体探测等特点。
基本信息
专利标题 ：
一种范德瓦尔斯非对称势垒结构的红外探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022023610.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-15
授权号 ：
CN214336728U
授权日 ：
2021-10-01
发明人 ：
胡伟达陈允枫王芳王振王鹏汪洋李庆何家乐谢润章张莉丽陈效双陆卫
申请人 ：
中国科学院上海技术物理研究所
申请人地址 ：
上海市虹口区玉田路500号
代理机构 ：
上海沪慧律师事务所
代理人 ：
郭英
优先权 ：
CN202022023610.7
主分类号 ：
H01L31/101
IPC分类号 ：
H01L31/101 H01L31/102 H01L31/0352 H01L31/0216
法律状态
2021-10-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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