一种基于无铝非对称势垒层结构的GaAs基半导体激光器
公开
摘要
本发明属于半导体技术领域，具体为一种基于无铝非对称势垒层结构的GaAs基半导体激光器，解决了背景技术中的技术问题，其包括n‑GaAs衬底，n‑GaAs衬底上自下而上设置有n‑AlxGa1‑xAs限制层、n‑AlxGa1‑xAs波导层、n‑Ga1‑xInxAs1‑yPy势垒层、GaAs量子阱层、p‑GaAs1‑xPx势垒层、p‑AlxGa1‑xAs波导层、p‑AlxGa1‑xAs限制层和p‑GaAs接触层。N型势垒层、量子阱层、P型势垒层中均不含Al组分，避免了工作时Al原子易氧化从而产生缺陷导致载流子泄露的问题，进而延长了器件的工作寿命；非对称势垒结构对增强载流子限制能力、提高半导体激光器的电学性能具有重要意义。
基本信息
专利标题 ：
一种基于无铝非对称势垒层结构的GaAs基半导体激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566869A
申请号 ：
CN202210206157.4
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-03-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许并社董海亮张旭贾志刚贾伟梁建
申请人 ：
太原理工大学
申请人地址 ：
山西省太原市迎泽西大街79号太原理工大学
代理机构 ：
太原科卫专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
张彩琴
优先权 ：
CN202210206157.4
主分类号 ：
H01S5/323
IPC分类号 ：
H01S5/323 H01S5/343
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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