铝镓氮势垒层厚度测量结构及测量方法
实质审查的生效
摘要

本发明揭示了一种铝镓氮势垒层厚度测量结构及测量方法,所述测量结构包括:衬底;位于衬底上的异质结,异质结包括氮化镓沟道层和铝镓氮势垒层,所述氮化镓沟道层与铝镓氮势垒层的界面处形成有二维电子气;位于异质结上的第一金属层,所述第一金属层与二维电子气电气连接;位于第一金属层及异质结上的钝化层;位于钝化层上的第二金属层,所述第二金属层包括全部或部分位于第一金属层上方区域内的第一金属极板及全部或部分位于二维电子气上方区域内的第二金属极板。本发明的测量结构可形成不包含铝镓氮势垒层的第一平行板电容器和包含铝镓氮势垒层的第二平行板电容器,基于电压‑电容特性测试及平行板电容器电容公式可以最终获得铝镓氮势垒层的厚度。

基本信息
专利标题 :
铝镓氮势垒层厚度测量结构及测量方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114284244A
申请号 :
CN202111594891.4
公开(公告)日 :
2022-04-05
申请日 :
2021-12-23
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
宁殿华蒋胜柳永胜程新
申请人 :
苏州英嘉通半导体有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市相城区高铁新城青龙港路66号领寓商务广场701-706室
代理机构 :
苏州三英知识产权代理有限公司
代理人 :
周仁青
优先权 :
CN202111594891.4
主分类号 :
H01L23/544
IPC分类号 :
H01L23/544  H01L21/66  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志,例如注册商标、测试图案
法律状态
2022-04-22 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/544
申请日 : 20211223
2022-04-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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